High aspect ratio semiconductor (nano)structures: unexpected building blocks for new devices?

Type de document :
Communication dans un congrès
RFWNN 2017 : Semiconductor Nanostructures and Nanowires 3, Oct 2017, Suzdal - Moscou, Russia. 2017
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Contributeur : Evelyne Gil <>
Soumis le : jeudi 7 décembre 2017 - 15:07:36
Dernière modification le : jeudi 11 janvier 2018 - 06:28:14

Identifiants

  • HAL Id : hal-01658298, version 1

Citation

Evelyne Gil. High aspect ratio semiconductor (nano)structures: unexpected building blocks for new devices?. RFWNN 2017 : Semiconductor Nanostructures and Nanowires 3, Oct 2017, Suzdal - Moscou, Russia. 2017. 〈hal-01658298〉

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