Atomic layer deposition of HfO2 for integration into three-dimensional metal–insulator–metal devices

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Applied physics. A, Materials science & processing, Springer Verlag, 2017, 123 (12), 〈10.1007/s00339-017-1379-2〉
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Contributeur : Guillaume Monier <>
Soumis le : jeudi 7 décembre 2017 - 17:11:42
Dernière modification le : jeudi 22 mars 2018 - 09:50:02

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Guillaume Monier, Loïc Assaud, Kristina Pitzschel, Maïssa K. S. Barr, Matthieu Petit, et al.. Atomic layer deposition of HfO2 for integration into three-dimensional metal–insulator–metal devices. Applied physics. A, Materials science & processing, Springer Verlag, 2017, 123 (12), 〈10.1007/s00339-017-1379-2〉. 〈hal-01658592〉

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