Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE) growth of III-V and III-Nitrides nanowires on silicon

Type de document :
Communication dans un congrès
Energy Materials Nanotechnology EMN Epitaxy, Sep 2017, Barcelone, Spain. 2017
Liste complète des métadonnées

https://hal-clermont-univ.archives-ouvertes.fr/hal-01658883
Contributeur : Yamina Andre <>
Soumis le : jeudi 7 décembre 2017 - 21:07:58
Dernière modification le : mercredi 22 août 2018 - 01:02:55

Identifiants

  • HAL Id : hal-01658883, version 1

Citation

Yamina Andre, Zhenning Dong, Elissa Roche, Geoffrey Avit, Vladimir G. Dubrovskii, et al.. Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE) growth of III-V and III-Nitrides nanowires on silicon . Energy Materials Nanotechnology EMN Epitaxy, Sep 2017, Barcelone, Spain. 2017. 〈hal-01658883〉

Partager

Métriques

Consultations de la notice

220