Defect-free InGaN nanowires on silicon whatever the indium composition

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RÉUNION PLÉNIÈRE DU GDR PULSE 2017, Oct 2017, Paris, France
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Contributeur : Mohammed Zeghouane <>
Soumis le : vendredi 8 décembre 2017 - 16:54:49
Dernière modification le : mercredi 14 février 2018 - 14:05:19

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  • HAL Id : hal-01659715, version 1

Citation

Mohammed Zeghouane, Elissa Roche, Geoffrey Avit, Yamina Andre, Catherine Bougerol, et al.. Defect-free InGaN nanowires on silicon whatever the indium composition. RÉUNION PLÉNIÈRE DU GDR PULSE 2017, Oct 2017, Paris, France. 〈hal-01659715〉

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