Croissance sélective de GaN par épitaxie en phase vapeur par la méthode aux hydrures (HVPE)

Type de document :
Communication dans un congrès
Session plénière GDR PULSE, Oct 2017, Paris, France
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Contributeur : Geoffrey Avit <>
Soumis le : vendredi 8 décembre 2017 - 17:27:07
Dernière modification le : jeudi 11 janvier 2018 - 06:28:14

Identifiants

  • HAL Id : hal-01659756, version 1

Citation

Geoffrey Avit, Mohammed Zeghouane, Yamina Andre, Elissa Roche, Evelyne Gil, et al.. Croissance sélective de GaN par épitaxie en phase vapeur par la méthode aux hydrures (HVPE) . Session plénière GDR PULSE, Oct 2017, Paris, France. 〈hal-01659756〉

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