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CRHEA

Le laboratoire est structuré autour de la croissance de matériaux par épitaxie, qui est le cœur de son activité. Ces matériaux se regroupent aujourd’hui autour de la thématique des semiconducteurs à grande bande interdite : les nitrures de gallium (GaN, InN, AlN et les alliages), l’oxyde de zinc (ZnO) et le carbure de silicium (SiC). Le graphène, matériau de bande interdite nulle, épitaxié sur SiC, vient compléter cette liste. Différentes méthodes de croissance sont utilisées pour synthétiser ces matériaux : l’épitaxie par jets moléculaires (sous ultra vide) et diverses épitaxies en phase vapeur. Autour de ce métier de l’épitaxie se sont organisées des activités d’analyses structurales, optiques et électriques. La plate-forme technologique régionale (CRHEATEC) permet de fabriquer des dispositifs. En terme d’applications, le laboratoire couvre aussi bien le domaine de l’électronique (transistors de puissance de type HEMT, diodes Schottky, diodes tunnels, spintronique...) que celui de l’optoélectronique (diodes électroluminescentes, lasers, détecteurs, matériaux pour optique non linéaire, structures à microcavités pour sources optiques...). Le laboratoire s’est également engagé dans la voie des « nano » avec des aspects fondamentaux (nanoscience) et des aspects plus appliqués (nanotechnologie pour l’électronique ou l’optique).

Documents en texte intégral

327

Notices

450

Statistiques par discipline

Mots clés

Diodes électroluminescentes Tunnel junction Compressive stress HEMT AlGaN/GaN III-N LED High electron mobility transistor Millimeter-wave power density Nitrure de gallium Atomic force microscopy Graphene Epitaxy Microscopie électronique en transmission Free-standing GaN Heterostructures III-nitride semiconductors AlGaN/GaN HEMT Silicon carbide Doping Gallium nitride Metalens LPCVD 6H-SiC Chemical vapor deposition Atom probe tomography Optical properties Coalescence Épitaxie Molecular beam epitaxy DLTFS Characterization III-nitrides Photoluminescence GaN Croissance Creep Nanoparticles Metasurface Molecular beam epitaxy MBE Group III-nitrides Semiconductors AlGaN MBE Traps Transmission electron microscopy Quantum dots Schottky barrier diode LEDs Cathodoluminescence Semiconducteurs InGaN AlN ZnO Metasurfaces GaN HEMT Zinc oxide High electron mobility transistor HEMT Nitrures d'éléments III Aluminum gallium nitride Spectroscopy Aluminum nitride Electrical properties and parameters Quantum wells High electron mobility transistors CRYSTALS Microcavity Gallium nitride GaN Dislocations Defects Electron holography Boron nitride Holography Excitons Épitaxie par jets moléculaires Silicium 2D materials Strong coupling Light emitting diodes Silica MOCVD Silicon Caractérisation CVD Nitrides Bond order wave Nanowire Bending Al Normally-off Contraintes Bullseye antennas Boîtes quantiques GaN-on-Si Diffraction Nanostructures Transistor Chemical vapor deposition processes Selective area growth 3C–SiC