Defect-free InGaN nanowires on silicon whatever the indium composition

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ICNS 12 - 12th International Conference on Nitride Semiconductors, Jul 2017, Strasbourg, France
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Contributeur : Geoffrey Avit <>
Soumis le : vendredi 8 décembre 2017 - 17:04:08
Dernière modification le : jeudi 11 janvier 2018 - 16:59:58

Identifiants

  • HAL Id : hal-01659728, version 1

Citation

Geoffrey Avit, Elissa Roche, Mohammed Zeghouane, Yamina Andre, Catherine Bougerol, et al.. Defect-free InGaN nanowires on silicon whatever the indium composition. ICNS 12 - 12th International Conference on Nitride Semiconductors, Jul 2017, Strasbourg, France. 〈hal-01659728〉

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